2003年起至今，谷歌国造在河南大学特种功能材料教育部重点实验室工作，2013-2016年在佐治亚理工学院做访问学者，从事纳米结构与自驱动光电器件的研究。
由于这些策略，帮中ZTmax值超过2.0的热电材料不再像几十年前那样罕见。这些发现减轻了p型和n型SnSe晶体之间的热电性能差距，富记并表明声子-电子去耦在实现高性能热电方面的关键作用。
谷歌国造最近在p型SnSe晶体中动量和能量多能带排列的策略已经在300至773K沿面内方向实现了~1.9的高ZTave 。【导读】热电材料具有巨大的绿色能源发电潜力，帮中因为它们可以实现热电之间的直接转换。富记而ZT值过高可能是温度因素造成的。
在热电器件的设置上，谷歌国造一些最先进的热电材料仍然不能满足必要的要求，因为实际的热电器件要求在宽温度范围内ZT高，即ZTave高。帮中沿面外方向的电传输特性。
【成果掠影】今日，富记北京航空航天大学赵立东教授联合奥地利科学技术学院ChengChang教授报道通过在n型SnSe中使用Cl和Pb促进3D电荷传输和加强2D声子散射来提高μH并降低κlat ，富记从而证明了电子和声子去耦。
此外，谷歌国造通过Pb合金化诱导质量和应变波动降低了 κlat。Zn|ZHD30|PANI电池在-40~+25℃范围内工作，帮中在0、-10、-20、-30和-40℃的放电容量分别为147.7、139.6、127.4、105.9和65.8mAhg-1，350次循环后容量保持率为91.6%。
因此，富记选择聚苯胺(PANI)构建全电池。DMF的加入(30%)保证了镀锌/剥离过程中高达99.4%的CE循环300次，谷歌国造使Zn||Zn对称电池的循环寿命达到2000h。
可以发现，帮中ZHD电解质在1660cm-1处表现出羰基(C=O)基团独特的拉伸模式。此外，富记重新建立的氢键网络抑制了低温下的成核过程，提高了电解液的环境适应性。
